三星计划大幅提高 DRAM 和闪存价格，据韩国媒体报道，三星计划对 DRAM 和闪存进行大幅提价。Trendforce 预计，DRAM 价格将上涨 15% 至 30%，闪存价格预计上涨 5% 至 10%。此前，美光公司已暂停订单请求并宣布提高 DRAM 产品价格，预计 DDR4、DDR5 及其低功耗版本价格将上涨 20% 至 30%。

当前内存标准价格上涨，数据中心需求增长，尤其是对 AI 硬件和高带宽内存（HBM）的需求激增是主要原因。以 AI 领域为例，随着人工智能技术的快速发展，数据中心对高性能内存的需求呈爆发式增长，以支持复杂的算法运算和大规模数据处理。这使得内存市场供不应求，价格随之水涨船高。

三星在内存市场的一举一动都备受关注。据悉，经过长时间反复测试，三星带有 12 个内存芯片（12H）的 HBM3e 堆栈已通过 Nvidia 的资格测试，这无疑将为其在 AI 内存市场赢得更多份额。同时，三星计划到 2026 年将 DDR4 内存的产能削减至目前产能的五分之一，这一决策将进一步影响 DDR4 内存的供应格局。

DDR4 内存供应紧张局面已愈发明显。主要制造商逐步停止生产 DDR4，使得专注于较老内存技术的华邦和南亚科技受益。尽管三星和美光推迟停产，但 DDR4 内存需求仍未得到满足。台湾商业报纸《商业时报》报道，长期合约价格大幅上涨，短期采购的现货价格连续数月处于高位。南亚科技 2025 年 8 月销售额较去年同期增长一倍以上。目前，DDR4 芯片价格几乎是同等容量 DDR5 芯片的两倍半。

对于内存价格的高位运行，分析师们看法不一。部分分析师预计 2026 年初价格将恢复正常，而另一些分析师则认为未来一年价格将持续高位。内存市场本就经常经历大幅价格波动，此次在 AI 需求等多重因素影响下，价格走势更添不确定性。