SK海力士宣布，预计到2030年高带宽内存（HBM）年需求增长率将达30%，并强调其通过美国本土化投资已规避潜在关税风险。

作为Nvidia核心供应商，SK海力士凭借垂直堆叠芯片技术（HBM3E/HBM4）占据优势，其产品通过降低功耗、提升数据处理效率，成为AI大模型训练的关键组件。

公司HBM业务规划主管崔俊勇表示，AI基础设施扩张与HBM需求存在“直接关联”，定制化HBM市场规模到2030年可达数百亿美元，并指出亚马逊、微软、谷歌等云服务商资本支出上调将进一步拉动高端内存需求。尽管竞争对手三星警告HBM3E可能面临短期供过于求，但SK海力士认为长期趋势不变，并计划通过集成“基础芯片”的HBM4产品巩固技术壁垒。

针对美国可能对“非本土制造半导体”征收高关税的政策，SK海力士已提前布局美国封装厂和AI研究中心，通过本地化生产满足美国“芯片法案”要求，韩国官员透露美方已将其纳入“可信合作伙伴”名单。全球HBM市场爆发为中国半导体产业带来机遇与挑战，国家集成电路产业投资基金三期将HBM列为重点支持方向，长鑫存储、兆易创新等企业已启动HBM3E研发，预计2026年实现小批量试产。